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公司简介

嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月，注册地在浙江省嘉兴市南湖区，公司主营业务为以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发生产，并以IGBT模块形成对外实现销售。公司总部在浙江省嘉兴市，但是在上海和欧洲都有研发中心。2020年2月4日在上海证券交易所上市。

数据来源：广发证券

科普小常识：IGBT是什么

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

公司主营业务为IGBT 模块

公司2019 年 IGBT 模块的销售收入占主营业务收入的比例在 97%，公司 IGBT 模块产品丰富，种类齐全，覆盖汽车级和工业级应用。

数据来源：广发证券

行业地位：IGBT国内龙头 全球排名第八

据公司年报引用的IHS Markit 数据，2018年全球 IGBT 模块供应商的全球市场份额排名中，公司全球市场份额为 2.2%，全球排名第8位，国内排名第1位，是国内唯一进入世界排名前十的中国企业。

数据来源：广发证券

技术水平领先不断投入研发

公司已自主研发两代 IGBT 芯片，在研的第三代芯片对接国际第七代技术。公司长期致力于 IGBT 芯片的自主研发，分别于 2012 年和 2015 年成功独立地研发出NPT 型芯片和 FS-Trench 芯片，分别对接国际上第四、第六代芯片技术。目前，公司正在进行第三代 IGBT 芯片的研发，对接英飞凌、三菱等国际龙头公司的第七代技术水平。

公司创始人金光闪闪的学历和工作经历

公司创始人为沈华先生和胡畏女士，沈华先生1995 年获得美国麻省理工学院材料学博士学位，1995 年 7 月至 1999 年 7 月任西门子半导体部门高级研发工程师。2005年，沈华回国创建公司。胡畏女士1994 年获美国斯坦福大学工程经济系统硕士学位，1995 年至 2001 年任美国 Providian Financial 公司市场总监等职位，2005 年回国创办公司，现任公司董事兼副总经理。

公司拥有坚固的护城河：IGBT行业技术壁垒极高 公司优势显著

IGBT模块不但具有芯片和封装双重技术门槛，还具有极高的行业认证门槛。相比于国内同行，公司已经跨越了芯片和模块封装技术门槛，芯片自给率超50%，下游大客户认可度高；公司在响应速度、产品交期和产品成本都具有优势。

先入者为王，公司竞争优势显著。国内IGBT龙头，先发优势明显。IGBT模块不仅应用广泛，且是下游产品中的核心器件，一旦出现问题会导致产品无法使用，替代成本较高，因此一般下游企业都会经过较长的认证期后才会大批量采购。斯达是国内 IGBT 的领军企业，国内其他企业进入 IGBT 模块市场需要面临长期较大的资金投入和市场开发的困难。随着公司生产规模的扩大，自主芯片的批量导入，公司在供货稳定性上的优势会进一步巩固，从而提高潜在竞争对手进入壁垒，先发优势明显。

营业收入快速增长 2015-2019年复合增速32.6%

2015 年至 2019 年，公司营业收入稳步增长，从 2.52 亿元增长至 7.79 亿元，复合增速高达 32.60%。

数据来源：广发证券

净利润快速增长 2015-2019年净利润复合增速79%

2015 年到2019 年，公司归母净利润从 0.13 亿元增长到 1.35 亿元，年复合增速 79.5%。

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ROE远超可比公司

数据来源：西部证券

相对于同行，比如士兰微、扬杰科技、华微电子，斯达半导体的ROE远远超过这些公司，显示公司的创造价值能力。

公司未来发展的驱动因素

一、全球IGBT市场规模有较大增长空间 未来三年有7%的年化复合增长率

全球 IGBT2018 年市场规模为 60.9 亿美元。近几年，受益于新能源汽车行业的快速发展，全球 IGBT 市场规模持续提升。2018 年全球 IGBT 市场规模为 60.9 亿美元，其中分立器件和模块市场规模分别为 13.1和 47.8 亿美元。据 IHS 预测，2023 年全球 IGBT 市场规模有望达到 85.4 亿美元，年复合增长率为 7.0%。

二、新能源汽车是IGBT市场未来最大的推动力

新能源汽车是IGBT市场后续规模增长的核心应用。IGBT 是新能源汽车电机控制系统中负责能源转换与传输的核心功率半导体器件，能够提高电机用电效率和质量。在新能源汽车中主要用于电机控制器、车载充电器、车载空调系统以及充电桩领域。

随着汽车电动化水平提升，单车 IGBT 模块价值有望持续增长。目前，在低功率的A00 车型上，单车 IGBT 价值量在 150 美元以上，在 A 级及更高功率车型上，单车 IGBT 价值量在 300 美元以上。随着新能源汽车技术水平的不断提升，单车功率和续航里程都将往更高的水平发展。为了满足新能源汽车高功率的发展需求，整车厂将有望采用价值量更大的高功率 IGBT 模块或者提升单车 IGBT 模块用量，导致 IGBT 单车价值量的持续提升。

环保趋严和补贴政策持续推动新能源汽车市场高速发展。随着全球不断制定更加严格的碳排放标准，全球新能源汽车市场迎来了高速发展。2019 年10 月，工信部发布了《新能源汽车产业发展规划(2021-2035年)》(意见稿)，规划指出，2025年我国新能源汽车新车销量占比要达到20%，2030年达到40%。未来新能源汽车市场快速发展，对 IGBT 模块需求量将持续增大。

未来三年新能源汽车IGBT 市场规模年化复合增长率为20.11%

受益于单车 IGBT 价值量提升和新能源汽车市场的快速发展，新能源汽车IGBT 市场将迎来巨大的增长空间。据IHS统计，2018 年全球汽车IGBT 市场规模为 10.8 亿美元，预测 2023 年有望达到27亿美元，年复合增长率为 20.11%。

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三、新能源发电行业快速发展拉动IGBT需求

在新能源发电行业，光伏发电和风力发电市场成长较快。过去几年，我国积极推进风电、光伏发电发展，新能源发电行业迎来了高速增长。截止目前，我国已经成长为全球新能源并网规模最大、发展最快的国家。受益于下游用电需求的提升和国家利好政策，新能源发电行业中长期仍然有较大的成长空间。

新能源发电行业的高速发展带动 IGBT 需求。新能源发电输出的电能需要经过IGBT 的逆变和变频处理才能满足国家电网的标准。IGBT 模块作为光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件，亦将从新能源发电行业的迅速发展中获得新的成长空间。

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四、斯达半导体市场份额较低 未来具有较大的国产替代空间

虽然我国 IGBT 市场发展迅猛，但国外企业仍然占据主导地位。据 IHS 数据(英飞凌年报引用)，2018 年全球 IGBT 市场中，英飞凌作为国际 IGBT 龙头，在各个细分市场的市占率都处于前列。在 IGBT 模块市场(标准+CIB)，斯达 2018 年全球市占率为 2.2%，全球排名第八位。

数据来源：广发证券

公司是国内 IGBT 龙头 将分享国产替代红利

公司作为国内IGBT 的领先企业，在国产替代上具有较大优势。虽然与国外竞争对手相比，公司市场份额较小，但是随着公司产品技术水平逐渐与国际水平接轨，公司的国产替代优势愈发明显，主要表现在细分行业的领先优势、快速满足客户个性化需求的优势和价格竞争优势等方面。

中国和America之间的问题将加速IGBT 国产替代进程

2018年以来，问题加剧，国内 IGBT 供给不足，下游 行业深受供给端影响。受trade影响，国家积极推进 IGBT 产品的国产替代，国内下游厂商在选择供应商时也更加偏好供应稳定的国内厂商。公司自主研发的 IGBT 模块具有核心竞争力，并实现规模化量产，降低了对进口供应商的依赖。随着国产替代的不断推进，公司有望抢占更大的市场份额。未来具有较大的发展空间。