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IGBT模块国内第一,切入新能源汽车,斯达半导强势领跑

时间:2022-10-22 22:40:23 | 浏览:759

公司深耕IGBT模块的研发和销售,作为国内IGBT行业的领军企业,不仅具备先进的模块设计及制造工艺,亦拥有自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片的能力。据东吴证券研报分析,公司在IGBT模块供应商全球市场份额排名中,公司排名第7位,在

公司深耕IGBT模块的研发和销售,作为国内IGBT行业的领军企业,不仅具备先进的模块设计及制造工艺,亦拥有自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片的能力。

据东吴证券研报分析,公司在IGBT模块供应商全球市场份额排名中,公司排名第7位,在中国企业中排名第1位,成为世界排名前十中唯一一家中国企业,市场优势地位显著。受益于工业控制及电源、新能源市场的发展,IGBT模块需求量持续提升,公司凭借自主研发优势积极拓展应用市场和客户,持续提升IGBT产品市场份额,推动业绩实现高速增长。

一、深耕IGBT领域,市场领先地位显著

IGBT模块的核心是IGBT芯片和快恢复二极管芯片,公司作为国内IGBT行业的领军企业,不仅具备先进的模块设计及制造工艺,亦拥有自主研发设计国际主流IGBT和快恢复二极管芯片的能力,全面实现了IGBT和快恢复二极管芯片及模块的国产化,自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片也构筑了公司在IGBT市场突出的产品竞争力。

专注IGBT主业,市场领先地位显著。自2005年成立以来,公司一直致力于IGBT芯片和快恢复二极管芯片的设计和工艺及IGBT模块的设计、制造和测试,根据公司披露,2019年公司在全球IGBT模块市场排名第七(并列),在中国企业中排名第1位,市场占有率2.5%,是唯一进入前十的中国企业,市场优势地位显著。

2020年,公司营业收入9.63亿元,同比增长23.55%,归母净利润1.81亿元,同比增长33.56%。

2020年,公司毛利率为31.56%,同比增长0.95个百分点,净利率为18.80%,同比增长1.38个百分点,盈利能力持续提升。

二、替代空间广阔,IGBT国产化加速推进

面对工业控制、电源、变频家电、新能源发电、新能源汽车等下游应用对更高性能IGBT产品的需求,IGBT技术创新不断,朝着微型化、高功率等方向不断突破,技术更新的内生驱动力不断释放IGBT的应用潜力、拓展相关应用场景,带动了IGBT等功率半导体市场的快速发展。

在英飞凌、富士电机、ABB等厂商的推动下,IGBT的结构设计仍在不断突破和创新,并涌现出了P-ringTS+Trench、超级结和SiCIGBT等全新技术,推动IGBT应用和市场的持续发展。

同时,IGBT的制造工艺也在持续革新,IGBT产品的差异化和性能的提升有赖于掺杂、扩散和薄片加工等多种工艺的应用,相关工艺的技术壁垒较高,制造技术也成为实现IGBT自主创新的关键。

目前,国内IGBT市场主要由英飞凌、三菱电机、富士电机等海外厂商占据。根据中国产业信息网的数据,2019年,英飞凌、三菱电机、富士电机、ABB、飞兆等海外厂商在中国IGBT市场的份额合计达48.7%,同时,从400V及以下的常规IGBT市场到4500V以上的高端IGBT市场,海外厂商的IGBT产品的市场优势地位均十分明显。

目前,IGBT国产化已成为国家关键半导体器件的发展重点之一,IGBT也被列为国家“02专项”的重点扶持项目,相关产业进入高速发展阶段。同时,广阔的IGBT市场中也涌现出一批包括中车时代电气(3898.HK)、比亚迪(比亚迪股份,1211.HK)、斯达半导等在内的掌握IGBT核心技术的企业,在产业政策和市场需求的驱动下,IGBT国产化进程加速启动。

三、IGBT布局完善,充分受益国产替代

2020年,公司基于第六代TrenchFieldStop技术的1200VIGBT芯片在12寸产线上开发成功并开始批量生产;公司车规级SGTMOSFET研发成功,2021年有望开始批量供货;公司继续布局宽禁带功率半导体器件,在新能源汽车行业控制器、光伏行业推出的各类SiC模块得到进一步的推广应用,公司应用于新能源汽车的车规级SiC模块获得国内外多家著名车企和Tier1客户的项目定点,有望对公司未来车规级SiC模块销售增长提供持续推动力;此外,公司IPM模块在国内白色家电、工业变频器、伺服控制器等行业继续开拓,市场份额持续提高。

在新能源汽车领域,公司已成功跻身于国内汽车级IGBT模块的主要供应商之列,与国际企业同台竞争,市场份额不断扩大。2020年,公司基于第六代TrenchFieldStop技术的650V/750VIGBT芯片及配套的快恢复二极管芯片在新能源汽车行业使用比率持续提升;公司生产的汽车级IGBT模块合计配套超过20万辆新能源汽车;同时,公司在车用空调,充电桩,电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。

IGBT芯片设计和模块封装技术不断突破,自主创新推进国产替代,产品竞争力突出。目前,国内IGBT芯片和快恢复二极管芯片主要依赖进口,国内可以自主研发IGBT芯片和快恢复二极管芯片的公司较少。公司在IGBT领域坚持自主创新,掌握了IGBT芯片场终止设计、IGBT芯片高压终端环设计、超薄片工艺等核心技术,目前已申请99项专利,其中包括28项发明专利。未来,公司将持续加大在下一代IGBT芯片、车规级SiC芯片以及3300V-6500V高压IGBT的研发力度,夯实技术和产品的竞争优势。(东吴证券)

总结:公司深耕以IGBT为代表的功率半导体领域,产品竞争力突出,市场优势地位显著,有望充分受益工业控制及电源、新能源、变频白色家电等应用市场等推动的IGBT市场的增长。

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